Kioxia lùi mục tiêu ra mắt ổ cứng flash 100 triệu IOPS sang năm 2028 do tiến độ chứng nhận PCIe 7.0

Kioxia đã xác nhận việc lùi mục tiêu đạt hiệu suất đọc ngẫu nhiên 100 triệu IOPS cho dòng bộ nhớ XL-Flash Thế hệ 3 kết hợp giao tiếp PCIe 7.0 từ năm 2027 sang năm 2028. Quyết định trì hoãn này không bắt nguồn từ lỗi thiết kế của chip nhớ silicon, mà phụ thuộc vào thời gian để hệ sinh thái PCIe 7.0 hoàn tất quy trình chứng nhận tương thích. Để đạt mốc hiệu suất khổng lồ này, ổ cứng đòi hỏi băng thông cực lớn mà chỉ có giao tiếp PCIe 7.0 mới có thể đáp ứng về mặt vật lý, trong khi các đợt kiểm tra tuân thủ chính thức của tổ chức PCI-SIG dự kiến phải đến năm 2028 mới hoàn tất để đưa thiết bị vào danh sách tích hợp chính thức.

Trước đó, Kioxia đã giới thiệu mẫu thử nghiệm của dòng ổ cứng GP1 tại sự kiện FMS 2026 vào ngày 4 tháng 8, đạt hiệu suất 10 triệu IOPS nhờ sử dụng bộ nhớ XL-Flash thế hệ 2 qua giao tiếp PCIe 6.0. Bước nhảy vọt hiệu suất gấp 10 lần ở thế hệ tiếp theo đòi hỏi sự kết hợp đồng thời giữa tính song song nội bộ của chip nhớ, kiến trúc bộ điều khiển và băng thông của giao tiếp máy chủ. Bộ nhớ XL-Flash hoạt động ở chế độ ô nhớ đơn cấp (SLC) giúp giảm độ trễ đọc xuống dưới 5 micro giây, hỗ trợ truy cập chi tiết ở mức 512-byte và đạt độ bền cao từ 150.000 đến 250.000 chu kỳ xóa/ghi, vượt trội hoàn toàn so với công nghệ TLC hay QLC thông thường trên các ổ SSD doanh nghiệp.

Dòng sản phẩm này được thiết kế để giải quyết bài toán bộ nhớ đệm giá trị - khóa (KV cache) phát sinh trong quá trình suy luận của các mô hình ngôn ngữ lớn (LLM). Khi xử lý các tài liệu hoặc đoạn hội thoại dài, dung lượng KV cache của một mô hình 70 tỷ tham số có thể vượt quá 320 gigabytes, tức gấp bốn lần toàn bộ dung lượng bộ nhớ băng thông cao (HBM) của một GPU Nvidia H100. Ổ cứng GP1 của Kioxia đóng vai trò như một phân tầng lưu trữ tràn tốc độ cao thông qua sáng kiến Storage-Next do Nvidia dẫn đầu, giúp các trung tâm dữ liệu AI chuyển bớt dữ liệu KV cache tạm thời từ GPU sang ổ cứng flash một cách kinh tế mà không làm gián đoạn quá trình suy luận.

Trong cuộc đua công nghệ này, Kioxia không phải là cái tên duy nhất khi các đối thủ như SK Hynix và SanDisk đã công bố đặc tả kỹ thuật của công nghệ Flash băng thông cao (HBF) thông qua Dự án Tính toán Mở (OCP) vào tháng 8 năm 2026. Trái ngược với thiết kế ổ cứng gắn qua PCIe của Kioxia, giải pháp HBF sử dụng liên kết dọc chip nhớ NAND qua đường xuyên silicon (TSV) và kết nối trực tiếp với bộ tăng tốc qua chuẩn UCIe. Tuy nhiên, Kioxia cũng đang phòng ngừa rủi ro kiến trúc bằng việc phát triển song song mô-đun mở rộng bộ nhớ CXL (XL1) và giải pháp flash băng thông cao xếp chồng TSV của riêng mình, sẵn sàng cho sự định hình của thị trường vào năm 2028.